“三星开发出业界首创的12层3D”

三星最近宣布，开发了全球首款12层3d-tsv (直通硅通孔)技术dram模块，最大容量为24gb，采用该技术的首批产品之一将是三星自己的hbm2 kgsd。

三星新的12层3d-tsv工艺包括60，000个tsv孔互连的12个dram芯片。 因此，由于需要准确的精度，该技术被认为是大量生产最难的软件包之一。 封装的厚度保持在720微米。 也就是说，虽然dram层越来越薄，但高端产品的产量依然可以接受。

hong-joo baek说，随着人工智能( ai )和高功率计算( hpc )等各个新时代的应用，确保超高性能存储器的多功能和复杂的封装技术变得越来越重要 三星电子公司(测试与系统软件包)执行副总裁。

通过将层数从8增加到12，三星很快就能批量生产24 gb的高带宽内存，是目前8 gb高带宽内存的3倍。 这意味着三星将为市场上的数据密集型应用程序提供最佳的dram性能。

另外，三星最新的3d封装技术比目前的引线接合技术在芯片之间的数据传输时间更短，因此速度大幅提高，功耗降低，效率提高。

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