“英特尔简要介绍了支持FinFET工艺的一点技术”
更新时间：2021-05-16 20:27:01
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在2月的视频中记录了从芯片概念到客户的旅程之后，英特尔发布了另一段简要介绍制造过程的视频。 这个视频于本月初发表，非常值得一看。 特别是考虑到英特尔在10纳米处有很多麻烦。
将沙堆变成大脑的微妙妙招很多，很复杂。 正如您所看到的，当芯片从一个工具迁移到另一个工具时，它沿着英特尔的自动生产线前进了数百英里。 解决方案(或晶片)经过1000多个工序组装，形成晶体管，芯片安装。
英特尔简要介绍了支持finfet工艺的技术，包括形成前栅和高k金属栅。 另一节提到英特尔的主动门触点( coag )技术，传言这是导致英特尔10纳米成品率问题的重要因素之一。 然后，视频将移动到通过添加几十条布线完成电路的部分。 其他问题，如电迁移问题，如事件大大简化，电阻随着晶体管尺寸的减小而增加，导线尺寸按比例减小。 为了解决这个问题，英特尔从铜线迁移到了互连钴。
再次，这是谣言困扰英特尔10纳米工艺的另一步。
英特尔最近概述了其竞争对手在流程领先方面如何落后于台湾积体电路制造，最重要的是。 除非英特尔在2021年底之前推出7纳米工艺，否则英特尔无法实现tsmc和工艺的低价。 英特尔有望在5纳米之前再次获得流程领导地位，众所周知，它将于2023年问世。
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