“IEEE为电力领域中的宽带隙半导体开辟了道路”

这所大学在电力领域，对用碳化硅( sic )和氮化镓)等宽带隙)半导体制作的设备感到兴奋。

材料的带隙(绝缘状态和导电状态之间的能量差)明显大于硅。 结果，wbg功率装置可以使用更少的能量，承受更高的电压，在更高的温度和频率下工作，同时从可再生能源产生更可靠的电力。 但是，他们的技术也是相当新的，而且这些设备的价格比基于硅的设备要高，后者有良好的业绩记录。

为了鼓励采用wbg技术，ieee电力电子会议( pels )最近公布了宽带隙电力半导体国际技术路线图( itrw )。

itrw指导委员会主席ieee fellowbraham ferreira表示，该路线图从战术角度考察了wbg的长期展望、其未来、趋势和潜在可能性。 本文件的目的是为了实现这项新技术的潜力，促进研究开发过程的加速。

路线图委员会分为多个业务组，聚焦于电路板和器件、模块和封装、gan系统和应用、sic系统和应用四个行业。 来自世界各地的专家参加了会议，包括材料科学家和工程师、设备专家和研究者、政策制定者、领域和学术界的代表。

该路线图明确了主要趋势、设计挑战和潜在应用程序，以及未来应用程序的预览。

费拉拉说:“我们不能就这些设备的生产和开发向工业界发布命令。 通过共识和共识，我们明确了潜在的新应用，指导了长期的研发投资。

福利充足

根据itrw执行概要，将wbg半导体用于电气电子设备和其他应用有各种各样的理由。 sic和gan器件越来越经济实惠，可以广泛使用。 也提供了硅无法实现的性能。

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