“英特尔展示用于四级缓存的STT”

英特尔研究人员展示了2mb磁随机存取存储器( mram )阵列。 该阵列可以满足芯片上l4缓存应用的要求，包括数据存储、耐用性和错误率。 这项事业标志着这项技术向前迈进了一步。

自旋转矩磁随机存取存储器( stt-mram )是即使切断电源也能维持存储状态的非易失性存储器，由磁结和晶体管构成。 与标准的cmos技术兼容，具有速度、耐久性、密度等其他特点，在业界引起了人们的兴趣。 迄今为止，商业可行性主要集中在mram上，作为芯片外嵌入式非易失性存储器( envm )。

英特尔声称，英特尔目前正在构建和演示2mb stt-mram阵列，以支持芯片上的l4缓存规范。 虽然对l4缓存的性能要求较低，但高于由普通6晶体管sram单元构成的低级缓存。 与envm相比，在速度、密度、耐久性方面具有严格的特征。

根据英特尔的报告，mram芯片在110处的写入时间为20nm，读取时间为4ns，耐久性为1012个周期，保存时间为1秒。 根据报告，因为可以用纠错码( ecc )技术解决，所以纠错码也足够好。 为了满足l4缓存的要求，需要进行流程优化。 与envm相比，需要缩小mram位单元。 磁性结的大小从70-80nm缩放到55nm，但代价是最大写入电流减少。 研究人员还优化了设备的材料堆栈。

该研究很可能是将foveros与英特尔最新的horse ridge量子控制芯片采用的工艺相同的22ffl工艺进行比较后进行的。 因为该公司今年早些时候宣布，mram和rram (抗性ram )都做好了生产效率略高于99.9%的准备。

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