“英特尔现在满足于匹配台积电的工艺技术”

英特尔首席执行官鲍勃·斯旺在与瑞士《克雷迪科学》举行的第23届年度技术会议的炉边聊天中表示，7纳米工艺有望与台湾积体电路制造( tsmc )的5纳米工艺相匹配。 他还指出，英特尔的5纳米工艺也有望与台湾积体电路制造的3纳米工艺相匹配。

但是，swan没有提到英特尔在工艺技术方面没有领先地位。 其7纳米工艺预计一年后的2021年问世，台湾积体电路制造( tsmc )的5纳米工艺预计一年前生产器件芯片。 下半年。

英特尔最近的流程路线图

英特尔在发布22纳米tri-gate ( fin fet )技术时，领先于台湾积体电路制造和其他第三方代理商的同行业其他公司。 另一方面，与只迁移到28nm / 32nm工艺节点的其他工艺相比，使用了较小的22nm工艺。 其次，只要切换到finfet就可以提高性能和效率。 在那之后的多年里，英特尔的工艺领导者地位无人能及。

唯一的例外是移动芯片，22纳米fin fet Atom芯片与28纳米平面节点上最新的高端arm芯片几乎不匹配，同时启动价格也很高。 所以，英特尔最终将atom的设计授权给中国的无晶片半导体企业，希望用台湾积体电路制造的28纳米工艺更廉价地制造自己的atom芯片。

但是，这也是不可能的。 因为与每次发布设备时都依赖的arm芯片相比，对这种折衷感兴趣的设备制造商很少。

之后，英特尔切换到了14纳米，但这也没成功。 这家企业在采用broadwell芯片方面略有延迟。 这是首次采用14纳米工艺的芯片。 英特尔最终用skylake取代了市场的客户——布罗德韦尔一代。

切换到14nm的理由也是坎was。 这是因为intel计划将芯片密度提高2.4倍，虽然最终实现起来有些困难，但该公司最终成功实现了这个目标。

但是，英特尔并没有牢记这个教训，而是试图通过10纳米工艺将密度更积极地提高到2.7倍。 经过多年的拖延，这家企业最近承认目标对企业来说太激进了。

因此，英特尔迁移到7纳米euv，将密度增长的比例减少了2.0倍。 切换到极紫外( euv )光刻工艺的过程非常困难。 这也是继三星和台湾积体电路制造之后，英特尔首次实施euv的尝试。

从领导到追随者？

英特尔首席执行官的观点是向客户和合作伙伴保证公司仍然具有与台湾积体电路制造相同的竞争力，但该声明并不是来自于这方面的领导地位。

尽管英特尔声称是正确的，但该工艺在性能、效率和密度上确实大致相同，但实际上，使用台湾积体电路制造5纳米工艺制造的芯片的设备将于明年下半年上市。 设备还包括新一代的iphone。 而且，英特尔最近宣布，将从2021年的某个时候开始推出7纳米芯片。

英特尔在安全解决方案和固件方面也落后于amd，仅次于最近的漏洞数量(超过amd 15:1 )。 该公司还表示，之所以对巨大的市场份额不感兴趣，正好是amd的zen 2芯片预计将在10多年来最大程度上影响顾客和数据中心市场上英特尔的销售的时候。

这并不意味着与amd和tsmc相比，英特尔在企业品牌和财务方面越来越不强大，无法挽回，但这仍然是一种趋势，对英特尔没有任何帮助，英特尔不能在太迟之前扭转过来

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